實驗室霍爾效應測試儀JH60A-電磁鐵型的技術參數(shù)

霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！

該儀器為性能穩(wěn)定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知名度。

儀器輕巧方便，易于攜帶，主要用于量測電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或固體材料均可。

產品概述：

  本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、高精度電源、高斯計、高精度恒流源、高精度電壓表、 霍爾探頭、電纜、標準樣品、樣品安裝架、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍耳測量復雜的切矩陣開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。

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技術指標：

* 磁 場： 間距 10mm 情況下 10700 高斯， 間距 20mm 情況下 7000 高斯。

*樣品電流：50nA~50mA（*小可調節(jié)電流為 0.1nA）

*測量電壓：0.1uV~30V

* 提供各類測試標準材料，各級別霍爾器件（靈敏度與精度不同）

**小分辨率： 1GS

*磁場范圍：0-±1T

*配合高斯計或數(shù)采板可與計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等 ▲ 電阻率范圍：10-7~1012 Ohm*cm

*電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

*載流子濃度：103~1023cm-3

*遷移率：0.1~108cm2/volt*sec

*測試全自動化，一鍵處理

*專業(yè)的歐姆接觸組合套件

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自動化霍爾效應測試系統(tǒng)組成：

高精度度磁鐵電源:

※ 雙極性恒流輸出

① 電源輸出電流可在正負額定*大電流之間連續(xù)變化

② 電流可以平滑過零點，非開關換向

③ 輸出電流、電壓四象限工作（適合感性負載）

④ 電流變化速率可設置范圍為 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.為額定*大輸出電流）

※ 電流穩(wěn)定度高，紋波低

①電流穩(wěn)定度：優(yōu)于±25ppm/h（標準型）；優(yōu) 于±5ppm/h（高穩(wěn)型） ② 電流準確度：±（0.01%設定值+1mA） ③ 電流分辨率：20 bit，例 15A 電源，電流分辨率為 0.03mA

④ 源效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供電電壓變化 10%時，輸出電流變化量）

⑤ 負載效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在負載變化 10%時，輸出電流變化量）

⑥ 電流紋波（RMS）：小于 1mA

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 霍爾樣品架:

用于固定，焊接霍爾器件，四探針壓點使接觸更方便牢。高高精度高斯計：分辨力：0.01Gs，量程：0-±3T，精度：0.1% ，標準 232 數(shù)字接口與控制端口。

電壓電流數(shù)采儀：

恒流源量程：±50nA-±50mA，分辨力 0.1nA 在量程范圍內連續(xù)可調，高 精 度 電 壓 數(shù) 采 儀 范 圍 0. 1uV-30V，精度：.01%內置測試矩陣轉換卡，

 電磁鐵：

極頭直徑 50mm.NS間距10mm時*大磁場1.07T，間距 20mm 時*大磁場 0.7T，可實現(xiàn)在*大磁場范圍內連續(xù)，變化（可調）自重 30 公斤。

歐姆接觸套件 ：

專業(yè)做歐姆接觸用銦片以及相，應焊接套裝，材料標準樣片，硅片，砷化鎵 2 阻值：300-500 歐姆。

測試系統(tǒng)軟件：

定位采集，數(shù)字溫度顯示， I-V，曲線及 I-R 曲線測量，得到體載，流子濃度等各類參數(shù)曲線圖形。

可測試材料: ?

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料， 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料， 高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

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樣品測試：

設置控制電流、磁場和霍爾片厚度，點擊“開始測試”按鈕，軟件將完成一鍵測試過程，直至計算出所有霍爾參數(shù)。每次測試完后，可選擇保存該計算結果值，然后點擊“**顯示”按鈕，以進入下一次測試。

若保持磁場大小不變，改變控制電流的大小，可通過畫圖操作觀察 Is 與 VH的關系；若保持控制電流大小不變，改變磁場的大小，可通過畫圖觀察 B 與 VH 的關系。

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