產(chǎn)品概述：

   本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計(jì)、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall

Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！

此處只列出系統(tǒng)的主要技術(shù)指標(biāo)。

教學(xué)霍爾測試儀技術(shù)指導(dǎo)

可測試材料: ?

 半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；? 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等； 高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

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技術(shù)指標(biāo)：

* 磁 場：10mm 間距為 2T 20mm 間距為 1.3T

* 樣品電流：0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

* 測量電壓：0.1uV~30V ▲ 提供各類測試標(biāo)準(zhǔn)材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

* *小分辨率：0.1GS

* 磁場范圍：0-1T

* 配合高斯計(jì)或數(shù)采板可計(jì)算機(jī)通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

* 霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)的變化曲線

* 電阻率范圍：10-⁷ ~10¹² Ohm*cm

* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度：10³ ~10²³ cm -³ 

* 遷移率：0.1~10⁸ cm ² /volt*sec 

*測試全自動(dòng)化，一鍵處理

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高精度電磁鐵：

極頭直徑 100mm;

N，S 間距 10mm 時(shí)*大磁場 20000Gs;

N，S 間距 20mm 時(shí)*大 13000 高斯;

N, S 間距 30mm 時(shí)*大磁場 10000 高斯;

均勻區(qū)：間距 60mm 時(shí)直徑 10mm 均勻度范圍;1%

 自重 210 公斤; 含支架及輪子

教學(xué)霍爾測試儀技術(shù)指導(dǎo)